一个月的科研会战，终于研究出了一套照明系统。
简单来说，便是采用一组非球面反射镜，将EUV光束聚焦到微镜阵列中塑形调匀，再把已经调好形状、且非常均匀的光，一点不走样地穿过掩膜版，投射到晶圆上。
可方案一出来，所有人又被卡住了！
因为EUV光刻机的技术核心是，利用极深紫外光成像，这种光的波长极短，仅有13.5纳米，对光学元件表面缺陷的敏感度远超可见光，只有做到原子级光滑度，才能保证光刻精度和能量效率。
镜面凸起、凹陷、划痕的尺寸若接近或大于波长，就会造成EUV光线的严重散射、衍射，进而导致光线传播方向偏离设计路径，最终在晶圆上形成的电路图案出现错位、模糊。
拿来生产芯片，良品率恐怕连1%都做不到。
而尴尬的是，此时国内的研究所，并不具备完成EUV光刻机照明系统镜子抛光的工程化和产业化能力。
林南思索一番后，给陈延森发去一封研发进度汇报邮件，并把当前的技术难点标注了出来。
(本章完)